SSM6N56FE,LM
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| 부품 번호 | SSM6N56FE,LM |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.035 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SSM6N56FE,LM | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 710880 pcs | 데이터 시트 | SSM6N56FE |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA |
| 제조업체 장치 패키지 | ES6 | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 235 mOhm @ 800mA, 4.5V | 전력 - 최대 | 150mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 다른 이름들 | SSM6N56FE,LM(B SSM6N56FE,LM(T SSM6N56FELMTR |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 55pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1nC @ 4.5V | FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 특징 | Logic Level Gate, 1.5V Drive | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 800mA |
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