SSM3J112TU,LF
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| 부품 번호 | SSM3J112TU,LF |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | X34 PB-F UFM S-MOS (LF) TRANSIST |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.036 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SSM3J112TU,LF | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | X34 PB-F UFM S-MOS (LF) TRANSIST | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 578981 pcs | 데이터 시트 | SSM3J112TU |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.8V @ 100µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | UFM | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 390 mOhm @ 500mA, 10V | 전력 소비 (최대) | 800mW (Ta) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
| 다른 이름들 | SSM3J112TULF | 작동 온도 | 150°C |
| 실장 형 | Surface Mount | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 86pF @ 15V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | P-Channel 30V 1.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.1A (Ta) |
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