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부품 번호 RN4987,LF(CT
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 RN4987,LF(CT 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1077492 pcs 데이터 시트 RN4987
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 250µA, 5mA 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 US6 연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 47 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 10 kOhms
전력 - 최대 200mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 다른 이름들 RN4987(T5L,F,T)
RN4987,LF(CB
RN4987LF(CT
RN4987LF(CT-ND
RN4987LF(CTTR
RN4987T5LFT
RN4987T5LFTTR
RN4987T5LFTTR-ND
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 12 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 250MHz, 200MHz 상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 10mA, 5V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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