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RN2412TE85LF

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부품 번호 RN2412TE85LF
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 2246726 pcs
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부품 번호 RN2412TE85LF 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 2246726 pcs 데이터 시트 RN2412,13
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 250µA, 5mA 트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지 S-Mini 연속 -
저항기 -베이스 (R1) 22 kOhms 전력 - 최대 200mW
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들 RN2412(TE85L,F)
RN2412TE85LF-ND
RN2412TE85LFTR
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 11 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 200MHz
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 120 @ 1mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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