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부품 번호 RN1605TE85LF
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1068777 pcs
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부품 번호 RN1605TE85LF 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1068777 pcs 데이터 시트 RN1601-06
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 250µA, 5mA 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 SM6 연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 47 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 2.2 kOhms
전력 - 최대 300mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 다른 이름들 RN1605(TE85L,F)
RN1605TE85LFTR
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 250MHz
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6 IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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