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RN1131MFV(TL3,T)

RN1131MFV(TL3,T)
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부품 번호 RN1131MFV(TL3,T)
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1759606 pcs
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부품 번호 RN1131MFV(TL3,T) 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1759606 pcs 데이터 시트 RN1131,1132MFV
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 500µA, 5mA 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지 VESM 연속 -
저항기 -베이스 (R1) 100 kOhms 전력 - 최대 150mW
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 SOT-723
다른 이름들 RN1131MFV(TL3T)CT 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 120 @ 1mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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