RN1112CT(TPL3)
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| 부품 번호 | RN1112CT(TPL3) |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | RN1112CT(TPL3) | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5654 pcs | 데이터 시트 | RN1112CT-13CT |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 20V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 150mV @ 250µA, 5mA | 트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased |
| 제조업체 장치 패키지 | CST3 | 연속 | - |
| 저항기 -베이스 (R1) | 22 kOhms | 전력 - 최대 | 50mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | SC-101, SOT-883 |
| 다른 이름들 | RN1112CT(TPL3)TR | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 300 @ 1mA, 5V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 100nA (ICBO) | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 50mA |
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