RN1101MFV,L3F
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| 부품 번호 | RN1101MFV,L3F |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.009 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | RN1101MFV,L3F | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 2571922 pcs | 데이터 시트 | RN1101-06MFV |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 500µA, 5mA | 트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased |
| 제조업체 장치 패키지 | VESM | 연속 | - |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 4.7 kOhms | 저항기 -베이스 (R1) | 4.7 kOhms |
| 전력 - 최대 | 150mW | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | SOT-723 | 다른 이름들 | RN1101MFV,L3F(B RN1101MFV,L3F(T RN1101MFVL3FTR |
| 실장 형 | Surface Mount | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 30 @ 10mA, 5V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
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