JDP2S12CR(TE85L,Q
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| 부품 번호 | JDP2S12CR(TE85L,Q |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | DIODE PIN 180V 1A S-FLAT |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | JDP2S12CR(TE85L,Q | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE PIN 180V 1A S-FLAT | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4846 pcs | 데이터 시트 | JDP2S12CR |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | 180V |
| 제조업체 장치 패키지 | S-FLAT (1.6x3.5) | 연속 | - |
| 만약, F @ 저항 | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz | 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | SOD-123F | 다른 이름들 | JDP2S12CR(TE85LQ)CT JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND JDP2S12CR(TE85LQCT JDP2S12CR(TE85LQMCT JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 다이오드 유형 | PIN - Single |
| 상세 설명 | RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5) | 전류 - 최대 | 1A |
| VR, F @ 용량 | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
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