HN3C10FUTE85LF
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| 부품 번호 | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | TRANSISTOR NPN US6 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.235 | $0.197 | $0.173 | $0.148 | ||
- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | HN3C10FUTE85LF | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANSISTOR NPN US6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 148119 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 12V |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN (Dual) | 제조업체 장치 패키지 | US6 |
| 연속 | - | 전력 - 최대 | 200mW |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 다른 이름들 | HN3C10FUTE85LFCT | 작동 온도 | - |
| 잡음 지수 (f에서 dB Typ) | 1.1dB @ 1GHz | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 이득 | 11.5dB | 주파수 - 전환 | 7GHz |
| 상세 설명 | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 80 @ 20mA, 10V |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 80mA |
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