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HN1C01FE-Y,LF

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부품 번호 HN1C01FE-Y,LF
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1146203 pcs
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부품 번호 HN1C01FE-Y,LF 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1146203 pcs 데이터 시트 HN1C01FE
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 10mA, 100mA 트랜지스터 유형 2 NPN (Dual)
제조업체 장치 패키지 ES6 연속 -
전력 - 최대 100mW 포장 Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 다른 이름들 HN1C01FE-Y(T5LFTCT
HN1C01FE-Y(T5LFTCT-ND
HN1C01FE-YLFCT
작동 온도 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 16 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 80MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 120 @ 2mA, 6V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 150mA

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