GT60N321(Q)
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| 부품 번호 | GT60N321(Q) |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | GT60N321(Q) | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4242 pcs | 데이터 시트 | GT60N321 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1000V |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.8V @ 15V, 60A | 시험 조건 | - |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 330ns/700ns | 에너지 전환 | - |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3P(LH) | 연속 | - |
| 역 회복 시간 (trr) | 2.5µs | 전력 - 최대 | 170W |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-3PL |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 유형 | Standard | IGBT 유형 | - |
| 상세 설명 | IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH) | 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 120A |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 60A | 기본 부품 번호 | GT60 |
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