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GT50J121(Q)

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부품 번호 GT50J121(Q)
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4948 pcs
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부품 번호 GT50J121(Q) 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 IGBT 600V 50A 240W TO3P LH 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4948 pcs 데이터 시트 GT50J121
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.45V @ 15V, 50A 시험 조건 300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 90ns/300ns 에너지 전환 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-3P(LH) 연속 -
전력 - 최대 240W 포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-3PL 작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 유형 Standard
IGBT 유형 - 상세 설명 IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH)
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 100A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 50A

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