CRF03(TE85L,Q,M)
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| 부품 번호 | CRF03(TE85L,Q,M) |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.037 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | CRF03(TE85L,Q,M) | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 538254 pcs | 데이터 시트 | CRF03 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 700mA | 전압 - 파괴 | S-FLAT (1.6x3.5) |
| 연속 | - | RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) |
| 역 회복 시간 (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | 만약, F @ 저항 | - |
| 편광 | SOD-123F | 작동 온도 - 정션 | 100ns |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 16 Weeks | 제조업체 부품 번호 | CRF03(TE85L,Q,M) |
| 확장 설명 | Diode Standard 600V 700mA Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) | 다이오드 구성 | 50µA @ 600V |
| 기술 | DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 2V @ 700mA |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 600V | VR, F @ 용량 | -40°C ~ 150°C |
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- 부품#:
CRF02(TE85L,Q,M) - 제조업체:
Toshiba Semiconductor and Storage - 기술:
DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT - 재고:
415453