BAS316,H3F
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| 부품 번호 | BAS316,H3F |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.012 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | BAS316,H3F | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 2148862 pcs | 데이터 시트 | BAS316 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1.25V @ 150mA |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 100V | 제조업체 장치 패키지 | USC |
| 속도 | Fast Recovery = 200mA (Io) | 연속 | - |
| 역 회복 시간 (trr) | 3ns | 패키지 / 케이스 | SC-76, SOD-323 |
| 다른 이름들 | BAS316H3F | 작동 온도 - 정션 | 150°C (Max) |
| 실장 형 | Surface Mount | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 다이오드 유형 | Standard | 상세 설명 | Diode Standard 100V 250mA Surface Mount USC |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 200nA @ 80V | 전류 - 평균 정류 (Io) | 250mA |
| VR, F @ 용량 | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
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