2SD2695,T6F(M
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| 부품 번호 | 2SD2695,T6F(M |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | TRANS NPN 2A 60V TO226-3 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | 2SD2695,T6F(M | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS NPN 2A 60V TO226-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5195 pcs | 데이터 시트 | 2SD2695 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 60V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 1.5V @ 1mA, 1A | 트랜지스터 유형 | NPN |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-92MOD | 연속 | - |
| 전력 - 최대 | 900mW | 포장 | Bulk |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | 다른 이름들 | 2SD2695T6F(M 2SD2695T6FM |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환 | 100MHz | 상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 2000 @ 1A, 2V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 10µA (ICBO) |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 2A |
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