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부품 번호 2SC6026MFVGR,L3F
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS NPN 50V 0.15A VESM
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1758690 pcs
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(US 달러)
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부품 번호 2SC6026MFVGR,L3F 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS NPN 50V 0.15A VESM 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1758690 pcs 데이터 시트 2SC6026MFV
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 10mA, 100mA 트랜지스터 유형 NPN
제조업체 장치 패키지 VESM 연속 -
전력 - 최대 150mW 포장 Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스 SOT-723 다른 이름들 2SC6026MFVGRL3FCT
작동 온도 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 16 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 60MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 60MHz 150mW Surface Mount VESM IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 200 @ 2mA, 6V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 150mA

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