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> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-싱글 > 2SC3326-B,LF

2SC3326-B,LF

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부품 번호 2SC3326-B,LF
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1333178 pcs
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(US 달러)
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부품 번호 2SC3326-B,LF 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1333178 pcs 데이터 시트 2SC3326
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 20V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 100mV @ 3mA, 30mA 트랜지스터 유형 NPN
제조업체 장치 패키지 TO-236 연속 -
전력 - 최대 150mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 다른 이름들 2SC3326-B (TE85L,F)
2SC3326-B(TE85L,F)
2SC3326-B,LF(B
2SC3326-B,LF(T
2SC3326-BLFTR
2SC3326BTE85LF
2SC3326BTE85LFTR
2SC3326BTE85LFTR-ND
작동 온도 125°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 30MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 300mA 30MHz 150mW Surface Mount TO-236 IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 350 @ 4mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 300mA

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