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부품 번호 2SA1955FVBTPL3Z
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS PNP 12V 0.4A VESM
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 813628 pcs
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부품 번호 2SA1955FVBTPL3Z 제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS PNP 12V 0.4A VESM 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 813628 pcs 데이터 시트 2SA1955F
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 12V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 10mA, 200mA 트랜지스터 유형 PNP
제조업체 장치 패키지 VESM 연속 -
전력 - 최대 100mW 포장 Original-Reel®
패키지 / 케이스 SOT-723 다른 이름들 2SA1955FVBTPL3ZDKR
작동 온도 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 130MHz 상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount VESM
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 300 @ 10mA, 2V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 400mA

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