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TC58BVG1S3HBAI4

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부품 번호 TC58BVG1S3HBAI4
제조사 Toshiba Memory America, Inc.
기술 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 24649 pcs
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부품 번호 TC58BVG1S3HBAI4 제조사 Toshiba Memory America, Inc.
기술 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 24649 pcs 데이터 시트 TC58BVG1S3HBAI4
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 25ns
전압 - 공급 2.7 V ~ 3.6 V 과학 기술 FLASH - NAND (SLC)
제조업체 장치 패키지 63-TFBGA (9x11) 연속 Benand™
패키지 / 케이스 63-VFBGA 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 Surface Mount 메모리 유형 Non-Volatile
메모리 크기 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스 -
메모리 형식 FLASH 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
상세 설명 FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)

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