TSM60NB1R4CH C5G
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| 부품 번호 | TSM60NB1R4CH C5G |
|---|---|
| 제조사 | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| 기술 | MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.366 | $0.324 | $0.256 | $0.199 | $0.157 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | TSM60NB1R4CH C5G | 제조사 | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 141950 pcs | 데이터 시트 | TSM60NB1R4CH |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-251 (IPAK) | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.4 Ohm @ 900mA, 10V | 전력 소비 (최대) | 28.4W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 다른 이름들 | TSM60NB1R4CH C5G-ND TSM60NB1R4CHC5G |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 28 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 257.3pF @ 100V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.12nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V |
| 상세 설명 | N-Channel 600V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Tc) |
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