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TSM3N90CI C0G

TSM3N90CI C0G
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부품 번호 TSM3N90CI C0G
제조사 TSC (Taiwan Semiconductor)
기술 MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 98316 pcs
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부품 번호 TSM3N90CI C0G 제조사 TSC (Taiwan Semiconductor)
기술 MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 98316 pcs 데이터 시트 TSM3N90
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 ITO-220 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V 전력 소비 (최대) 94W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
다른 이름들 TSM3N90CI C0G-ND
TSM3N90CIC0G
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 24 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 748pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 900V
상세 설명 N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole ITO-220 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Tc)

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