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TSM2N60SCW RPG

TSM2N60SCW RPG
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부품 번호 TSM2N60SCW RPG
제조사 TSC (Taiwan Semiconductor)
기술 MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 177755 pcs
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부품 번호 TSM2N60SCW RPG 제조사 TSC (Taiwan Semiconductor)
기술 MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 177755 pcs 데이터 시트 TSM2N60S
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 SOT-223 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 5 Ohm @ 600mA, 10V 전력 소비 (최대) 2.5W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
다른 이름들 TSM2N60SCW RPGCT
TSM2N60SCW RPGCT-ND
TSM2N60SCWRPGCT
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours)
제조업체 표준 리드 타임 22 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 435pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V
상세 설명 N-Channel 600V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 600mA (Tc)

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