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TSM1NB60SCT A3G

TSM1NB60SCT A3G
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부품 번호 TSM1NB60SCT A3G
제조사 TSC (Taiwan Semiconductor)
기술 MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 5522 pcs
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부품 번호 TSM1NB60SCT A3G 제조사 TSC (Taiwan Semiconductor)
기술 MOSFET N-CH 600V 500MA TO92 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5522 pcs 데이터 시트 TSM1NB60SCT
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-92 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 10 Ohm @ 250mA, 10V 전력 소비 (최대) 2.5W (Tc)
포장 Tape & Box (TB) 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
다른 이름들 TSM1NB60SCT A3GTB
TSM1NB60SCT A3GTB-ND
TSM1NB60SCTA3GTB
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 138pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 6.1nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V 상세 설명 N-Channel 600V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA (Tc)

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