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STWA50N65DM2AG

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부품 번호 STWA50N65DM2AG
제조사 STMicroelectronics
기술 POWER TRANSISTORS
무연 여부 / RoHS 준수 여부
In Stock 19675 pcs
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부품 번호 STWA50N65DM2AG 제조사 STMicroelectronics
기술 POWER TRANSISTORS 무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 수량 19675 pcs 데이터 시트
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA
Vgs (최대) ±25V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-247 연속 Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 87 mOhm @ 19A, 10V 전력 소비 (최대) 300W (Tc)
패키지 / 케이스 TO-247-3 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 제조업체 표준 리드 타임 42 Weeks
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3200pF @ 100V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 69nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 650V
상세 설명 N-Channel 650V 38A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 38A (Tc)

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