STS3DNE60L

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| 부품 번호 | STS3DNE60L |
|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.238 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | STS3DNE60L | 제조사 | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 80940 pcs | 데이터 시트 | STS3DNE60L |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SO | 연속 | STripFET™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 80 mOhm @ 1.5A, 10V | 전력 - 최대 | 2W |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 815pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) | FET 특징 | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 2W Surface Mount 8-SO |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A |
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