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STH3N150-2

STH3N150-2
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부품 번호 STH3N150-2
제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 17897 pcs
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부품 번호 STH3N150-2 제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 17897 pcs 데이터 시트 STx3N150
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 H²PAK 연속 PowerMESH™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 9 Ohm @ 1.3A, 10V 전력 소비 (최대) 140W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
다른 이름들 497-13876-1 작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 42 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 939pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 29.3nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 1500V
상세 설명 N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H²PAK 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Tc)

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