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STGP6M65DF2

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부품 번호 STGP6M65DF2
제조사 STMicroelectronics
기술 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 109468 pcs
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부품 번호 STGP6M65DF2 제조사 STMicroelectronics
기술 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 109468 pcs 데이터 시트 STGP6M65DF2 Datasheet
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2V @ 15V, 6A 시험 조건 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 12ns/86ns 에너지 전환 40µJ (on), 136µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-220 연속 M
역 회복 시간 (trr) 140ns 전력 - 최대 88W
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-220-3
다른 이름들 497-16967 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 42 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard IGBT 유형 Trench Field Stop
게이트 충전 21.2nC 상세 설명 IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 24A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 12A

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