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STGB30M65DF2

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부품 번호 STGB30M65DF2
제조사 STMicroelectronics
기술 IGBT 650V 30A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 36964 pcs
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부품 번호 STGB30M65DF2 제조사 STMicroelectronics
기술 IGBT 650V 30A D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 36964 pcs 데이터 시트 STGB30M65DF2
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2V @ 15V, 30A 시험 조건 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 31.6ns/115ns 에너지 전환 300µJ (on), 960µJ (off)
제조업체 장치 패키지 D2PAK 연속 -
역 회복 시간 (trr) 140ns 전력 - 최대 258W
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들 497-15843-1 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 42 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard IGBT 유형 Trench Field Stop
게이트 충전 80nC 상세 설명 IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Surface Mount D2PAK
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 120A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 60A

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