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STD80N6F6

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부품 번호 STD80N6F6
제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 60V DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 90262 pcs
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부품 번호 STD80N6F6 제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 60V DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 90262 pcs 데이터 시트 STD80N6F6
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 DeepGATE™, STripFET™ VI
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 6.5 mOhm @ 40A, 10V 전력 소비 (최대) 120W (Tc)
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 497-13942-6 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7480pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 122nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V 상세 설명 N-Channel 60V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc)

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