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STB9NK80Z

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부품 번호 STB9NK80Z
제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 800V D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 STB9NK80Z 제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 800V D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 47780 pcs 데이터 시트 STB9NK80Z
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 100µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 D2PAK 연속 Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V 전력 소비 (최대) 125W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들 497-13936-2
STB9NK80Z-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 38 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1138pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 800V
상세 설명 N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A (Tc)

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