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STB80NF55-06-1

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부품 번호 STB80NF55-06-1
제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 44592 pcs
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부품 번호 STB80NF55-06-1 제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 44592 pcs 데이터 시트 ST(B,P)80NF55-06(-1,FP)
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 I2PAK 연속 STripFET™ II
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 6.5 mOhm @ 40A, 10V 전력 소비 (최대) 300W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
다른 이름들 497-16196-5
STB80NF55-06-1-ND
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 38 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4400pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 189nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 55V
상세 설명 N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc)

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