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STB43N60DM2

STB43N60DM2
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부품 번호 STB43N60DM2
제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET NCH 600V 34A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 34004 pcs
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부품 번호 STB43N60DM2 제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET NCH 600V 34A D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 34004 pcs 데이터 시트 Power Mgmt Guide BrochureSTB43N60DM2 Datasheet
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA
Vgs (최대) ±25V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 D2PAK 연속 MDmesh™ DM2
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 93 mOhm @ 17A, 10V 전력 소비 (최대) 250W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 42 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2500pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 56nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V 상세 설명 N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 34A (Tc)

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