STB28N60M2

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부품 번호	STB28N60M2
제조사	STMicroelectronics
기술	MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 33214 pcs
참조 가격 (US 달러)	1 pcs	10 pcs	100 pcs	500 pcs
참조 가격 (US 달러)	$1.984	$1.772	$1.453	$1.177

제품 매개 변수
데이터 시트

Product parameter

부품 번호	STB28N60M2	제조사	STMicroelectronics
기술	MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	33214 pcs	데이터 시트	STx28N60M2 Datasheet
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	4V @ 250µA
Vgs (최대)	±25V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	D2PAK	연속	MDmesh™ II Plus
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	150 mOhm @ 11A, 10V	전력 소비 (최대)	170W (Tc)
포장	Cut Tape (CT)	패키지 / 케이스	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들	497-14972-1	작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	42 Weeks	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1440pF @ 100V	게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	36nC @ 10V
FET 유형	N-Channel	FET 특징	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V	소스 전압에 드레인 (Vdss)	600V
상세 설명	N-Channel 600V 22A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	22A (Tc)

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