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STB16N65M5

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부품 번호 STB16N65M5
제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 43584 pcs
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부품 번호 STB16N65M5 제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 43584 pcs 데이터 시트 STB16N65M5, STD16N65M5
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA
Vgs (최대) ±25V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 D2PAK 연속 MDmesh™ V
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 299 mOhm @ 6A, 10V 전력 소비 (최대) 90W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들 497-11235-2 작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1250pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 31nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 650V 상세 설명 N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc)

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