STB150N3LH6

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부품 번호	STB150N3LH6
제조사	STMicroelectronics
기술	MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 55334 pcs
참조 가격 (US 달러)	1 pcs	10 pcs	100 pcs	500 pcs
참조 가격 (US 달러)	$1.201	$1.086	$0.873	$0.679

제품 매개 변수
데이터 시트

Product parameter

부품 번호	STB150N3LH6	제조사	STMicroelectronics
기술	MOSFET N CH 30V 80A D2PAK	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	55334 pcs	데이터 시트	STB150N3LH6
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	2.5V @ 250µA
Vgs (최대)	±20V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	TO-263 (D²Pak)	연속	DeepGATE™, STripFET™ VI
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	3 mOhm @ 40A, 10V	전력 소비 (최대)	110W (Tc)
포장	Cut Tape (CT)	패키지 / 케이스	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들	497-13263-1	작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Surface Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	3800pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	80nC @ 10V	FET 유형	N-Channel
FET 특징	-	드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	30V	상세 설명	N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	80A (Tc)

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