SCT50N120
OMRON AUTOMATION & SAFETY이미지는 참조 용입니다.
제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
Components-World.HK, Components-World.HK, 1 년 보증 의 확신으로 SCT50N120 구입
제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
Components-World.HK, Components-World.HK, 1 년 보증 의 확신으로 SCT50N120 구입
조회를 요청하다
| 부품 번호 | SCT50N120 |
|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 기술 | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $14.587 | $13.455 | $11.49 | |||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SCT50N120 | 제조사 | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 2859 pcs | 데이터 시트 | Power Mgmt Guide BrochureSCT50N120Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 1mA |
| Vgs (최대) | +25V, -10V | 과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 제조업체 장치 패키지 | HiP247™ | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 69 mOhm @ 40A, 20V | 전력 소비 (최대) | 318W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 다른 이름들 | 497-16598-5 | 작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 122nC @ 20V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 20V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V | 상세 설명 | N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 65A (Tc) |
- 관련 상품
- 관련 뉴스
관련 상품
- 부품#:
SCT601NONROHS - 제조업체:
TDK-Lambda Americas Inc. - 기술:
AC/DC CONVERTER 3.3V 5V 12V 60W - 재고:
1315
