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SCT10N120

SCT10N120
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부품 번호 SCT10N120
제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 9481 pcs
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부품 번호 SCT10N120 제조사 STMicroelectronics
기술 MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 9481 pcs 데이터 시트 Power Mgmt Guide BrochureFine Tune SIC MOSFET Gate DriverSCT10N120
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 250µA
Vgs (최대) +25V, -10V 과학 기술 SiCFET (Silicon Carbide)
제조업체 장치 패키지 HiP247™ 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 690 mOhm @ 6A, 20V 전력 소비 (최대) 150W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-247-3
다른 이름들 497-16597-5 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 400V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 20V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 1200V 상세 설명 N-Channel 1200V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc)

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