RMLV0816BGSD-4S2#HC0
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| 부품 번호 | RMLV0816BGSD-4S2#HC0 |
|---|---|
| 제조사 | Renesas Electronics America |
| 기술 | IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 50 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.782 | $3.502 | $3.423 | $3.404 | ||
| 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs | |||
| $2.997 | $2.848 | $2.819 | |||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | RMLV0816BGSD-4S2#HC0 | 제조사 | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 12873 pcs | 데이터 시트 | RMLV0816BGSD-4S2 |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 45ns |
| 전압 - 공급 | 2.4 V ~ 3.6 V | 과학 기술 | SRAM |
| 제조업체 장치 패키지 | 52-TSOP II | 연속 | - |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) |
| 다른 이름들 | RMLV0816BGSD-4S2#HC0CT | 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형 | Volatile | 메모리 크기 | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | SRAM |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 18 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | SRAM Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 45ns 52-TSOP II | 액세스 시간 | 45ns |
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