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RJM0603JSC-00#12

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부품 번호 RJM0603JSC-00#12
제조사 Renesas Electronics America
기술 MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4169 pcs
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부품 번호 RJM0603JSC-00#12 제조사 Renesas Electronics America
기술 MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4169 pcs 데이터 시트 RJM0603JSC
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 1mA
제조업체 장치 패키지 20-HSOP 연속 Automotive, AEC-Q101
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 20 mOhm @ 10A, 10V 전력 - 최대 54W
포장 Tray 패키지 / 케이스 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
작동 온도 175°C 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2600pF @ 10V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 43nC @ 10V
FET 유형 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 특징 Logic Level Gate, 4.5V Drive
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V 상세 설명 Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A

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