RJK6025DPD-00#J2
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| 부품 번호 | RJK6025DPD-00#J2 |
|---|---|
| 제조사 | Renesas Electronics America |
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 1A MP3A |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | RJK6025DPD-00#J2 | 제조사 | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 1A MP3A | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5986 pcs | 데이터 시트 | RJK6025DPD-00#J2 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 1mA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | MP-3A |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 17.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 29.7W (Tc) | 포장 | Original-Reel® |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 다른 이름들 | RJK6025DPD-00#J2DKR |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 37.5pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V | 상세 설명 | N-Channel 600V 1A (Ta) 29.7W (Tc) Surface Mount MP-3A |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A (Ta) |
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