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부품 번호 RJK0655DPB-00#J5
제조사 Renesas Electronics America
기술 MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 75912 pcs
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부품 번호 RJK0655DPB-00#J5 제조사 Renesas Electronics America
기술 MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 75912 pcs 데이터 시트 RJK0655DPB
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) -
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 LFPAK 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 6.7 mOhm @ 17.5A, 10V 전력 소비 (최대) 60W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669
다른 이름들 RJK0655DPB-00#J5-ND
RJK0655DPB-00#J5TR
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2550pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V 상세 설명 N-Channel 60V 35A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount LFPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 35A (Ta)

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