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부품 번호 R1WV6416RBG-5SI#B0
제조사 Renesas Electronics America
기술 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 2885 pcs
참조 가격
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부품 번호 R1WV6416RBG-5SI#B0 제조사 Renesas Electronics America
기술 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 2885 pcs 데이터 시트 R1WV6416R Series
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 55ns
전압 - 공급 2.7 V ~ 3.6 V 과학 기술 SRAM
제조업체 장치 패키지 48-TFBGA (8.5x11) 연속 -
포장 Tray 패키지 / 케이스 48-TFBGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 메모리 유형 Volatile
메모리 크기 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel
메모리 형식 SRAM 제조업체 표준 리드 타임 18 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 상세 설명 SRAM Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (8.5x11)
액세스 시간 55ns

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