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NP36P06SLG-E1-AY

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부품 번호 NP36P06SLG-E1-AY
제조사 Renesas Electronics America
기술 MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4547 pcs
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부품 번호 NP36P06SLG-E1-AY 제조사 Renesas Electronics America
기술 MOSFET P-CH 60V 36A TO-252 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4547 pcs 데이터 시트 NP36P06SLG
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) -
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-252 (MP-3ZK) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 30 mOhm @ 18A, 10V 전력 소비 (최대) 1.2W (Ta), 56W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도 175°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3200pF @ 10V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 52nC @ 10V
FET 유형 P-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
상세 설명 P-Channel 60V 36A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 36A (Tc)

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