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> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > PUMD12/DG/B3,115

PUMD12/DG/B3,115

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부품 번호 PUMD12/DG/B3,115
제조사 Nexperia
기술 TRANS RET SC-88
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 PUMD12/DG/B3,115 제조사 Nexperia
기술 TRANS RET SC-88 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5028 pcs 데이터 시트 PEMD12, PUMD12
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 150mV @ 500µA, 10mA 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 SOT-363 연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 47 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 47 kOhms
전력 - 최대 300mW 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들 934066959115 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 230MHz, 180MHz 상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 300mW Surface Mount SOT-363
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 5mA, 5V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 1µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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