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PSMN1R9-25YLC,115

PSMN1R9-25YLC,115
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부품 번호 PSMN1R9-25YLC,115
제조사 NXP Semiconductors / Freescale
기술 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4686 pcs
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부품 번호 PSMN1R9-25YLC,115 제조사 NXP Semiconductors / Freescale
기술 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4686 pcs 데이터 시트
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1.95V @ 1mA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.05 mOhm @ 25A, 10V 전력 소비 (최대) 141W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
다른 이름들 568-6725-2
934065201115
PSMN1R925YLC115
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3504pF @ 12V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 57nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 25V 상세 설명 N-Channel 25V 100A (Tc) 141W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc)

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