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PMV185XN,215

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부품 번호 PMV185XN,215
제조사 NXP Semiconductors / Freescale
기술 MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4837 pcs
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부품 번호 PMV185XN,215 제조사 NXP Semiconductors / Freescale
기술 MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4837 pcs 데이터 시트
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±12V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-236AB (SOT23) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 250 mOhm @ 1.1A, 4.5V 전력 소비 (최대) 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들 568-10831-2
934066753215
PMV185XN,215-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 76pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 1.3nC @ 4.5V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V 상세 설명 N-Channel 30V 1.1A (Ta) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.1A (Ta)

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