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PHX23NQ10T,127

PHX23NQ10T,127
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부품 번호 PHX23NQ10T,127
제조사 NXP Semiconductors / Freescale
기술 MOSFET N-CH 100V 13A TO220F
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 5960 pcs
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부품 번호 PHX23NQ10T,127 제조사 NXP Semiconductors / Freescale
기술 MOSFET N-CH 100V 13A TO220F 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5960 pcs 데이터 시트 PHX23NQ10T
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 1mA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-220F 연속 TrenchMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 70 mOhm @ 13A, 10V 전력 소비 (최대) 27W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
다른 이름들 934055797127
PHX23NQ10T
PHX23NQ10T-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1187pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V 상세 설명 N-Channel 100V 13A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220F
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Tc)

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