PHU11NQ10T,127
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| 부품 번호 | PHU11NQ10T,127 |
|---|---|
| 제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | PHU11NQ10T,127 | 제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5062 pcs | 데이터 시트 | PHU11NQ10T |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 1mA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | I-PAK | 연속 | TrenchMOS™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 180 mOhm @ 9A, 10V | 전력 소비 (최대) | 57.7W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 다른 이름들 | 934056349127 PHU11NQ10T PHU11NQ10T-ND |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 360pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 14.7nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V | 상세 설명 | N-Channel 100V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole I-PAK |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10.9A (Tc) |
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