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PHD37N06LT,118

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부품 번호 PHD37N06LT,118
제조사 NXP Semiconductors / Freescale
기술 MOSFET N-CH 55V 37A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 PHD37N06LT,118 제조사 NXP Semiconductors / Freescale
기술 MOSFET N-CH 55V 37A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5966 pcs 데이터 시트 PHB,PHD,PHP37N06LT
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2V @ 1mA
Vgs (최대) ±13V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 TrenchMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 32 mOhm @ 17A, 10V 전력 소비 (최대) 100W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 934055350118
PHD37N06LT /T3
PHD37N06LT /T3-ND
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 22.5nC @ 5V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 55V 상세 설명 N-Channel 55V 37A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 37A (Tc)

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